SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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Vishay Siliconix SQJB90EP-T1_GE3
| Artikelnummer: | SQJB90EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Vishay Siliconix SQJB90EP-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SQJB90EP-T1_GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.5mOhm @ 10A, 10V Leistung - max 48W Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer SQJB90 SQJB90EP-T1_GE3 Einzelheiten PDF [English] SQJB90EP-T1_GE3 PDF - EN.pdf -
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